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双通道内存引发花屏故障的处理

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发表于 2005-10-27 23:43:00 | 显示全部楼层

双通道内存引发花屏故障的处理

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双通道内存引发花屏故障的处理  

  故障现象:朋友有一台电脑,其主要配置是:映泰P4TSV(Intel 865G)主板、Intel P4 2.4C GHz CPU、2条(现代颗粒)256MB DDR400内存,在玩3D游戏及运行Photoshop等操作时经常会出现花屏现象。
  故障分析和处理:打开电脑,试着运行《魔兽争霸3》、FIFA等游戏,在开始时就出现花屏现象,但可以按常规方式退出且没有死机。本着“先软后硬”的原则,先后更新了集成显卡驱动以及主板驱动,故障依旧。又将一些硬件优化软件逐一还原为默认选项后卸载,但故障仍没有排除。
  接下来试着查找硬件方面的原因,由于主板集成了显卡,所以内存就成了第一个被检查的对象。打开机箱,主板上很干净,可以排除灰尘引发内存故障的可能。拔出那两根内存条,发现它们采用的都是32MB×8规格的现代颗粒,这符合i865系列主板实现双通道内存工作模式的要求,而且笔者也曾用AIDA软件查看了内存的工作模式,显示为“Dual DDR SDRAM”,表明内存已经处于双通道工作模式了。突然,笔者发现这两条内存的金手指新旧程度略有差异,询问得知,朋友在购机时出于资金上的考虑,最先只买了一条内存,另一条是前些天才加上的。
  会不会是内存的参数设置不同造成的呢?可朋友告诉笔者,他选择的都是CL=3的内存条。笔者还是不放心,上网查询了这两条内存的颗粒编号,发现它们的时序参数不全部相同,为3-4-4和3-3-3。我们知道,在DDR内存中有三个有关内存时序的参数相当重要,分别是CAS Latency(简称tCL,行地址控制器延迟时间)、RAS-to-CAS Delay(简称tRCD,列地址至行地址延迟时间)、RAS Precharge Time(简称tRP,列地址控制器预充电时间)。目前,DDR400的时序参数主要有:4-4-4、3-4-4、3-3-3及2.5-3-3四种。其中3-4-4和3-3-3的tCL值都是3,会不会是因为tRCD和tRP两个时序参数不一样,引起双通道内存工作模式不稳定而造成“花屏”呢?于是笔者把自己刚装的电脑上的两条KingMax DDR400 256MB内存给换上。开机,玩《魔兽争霸3》、FIFA等游戏,没有出现花屏现象。
  原来要在i865系列主板上实现内存双通道模式,除了对两条内存的安装槽位有要求外,对内存的品牌、频率、容量、颗粒规格甚至时序都有严格的要求。虽然朋友的系统实现了内存双通道模式,但双通道内存工作模式的稳定性也因内存时序的不一致而大打折扣。而内置显卡的865G芯片组需要借用部分主内存来充当显示核心的显存。如果这时双通道内存工作模式的稳定性不好,就直接影响显存质量,当用户玩游戏、运行Photoshop等对内存稳定性要求比较高的软件时,就容易引发花屏现象。
  随后笔者改变了两条内存在双通道工作模式下的所在插槽位置,也试着修改了CMOS中有关时序的设定,但仍没法解决问题。可朋友这样的内存方案已经构成现实,于是笔者提出两个建议:一是取消双通道工作模式,把两根内存条同时插在A通道或B通道的两个内存插槽上,这样有利于系统的稳定。二是把其中的一条内存条卖掉,重新购买一条与剩下的那条一样容量、频率、时序的内存条。另外,笔者还试着将自己的独立显卡给换上,发现故障现象也同样解决了,可能是这时显卡没有共享主内存的缘故,不过还不能预料这样的双通道内存工作模式会不会引发其他故障。

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